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Científicos españoles han comprobado la eficacia de la luz polarizada
para manejar la memoria ferroeléctrica, empleada en microprocesadores.
Un nuevo método permite que estos artilugios sean más manejables, ya que
no es necesario conectarlos a un circuito eléctrico, y posibilita el
desarrollo de nuevos dispositivos mediante ingeniería de dominios sin
contacto.
Un nuevo estudio con participación española ha demostrado que la luz
polarizada puede servir para acceder y manejar la memoria ferroeléctrica
sin tener que hacer conexiones eléctricas. Este hallazgo permite
salvar los inconvenientes de los tradicionales dispositivos de memoria
ferroeléctrica, empleados en microprocesadores, que aunque utilizan poca
energía y permiten una gran velocidad escritura necesitan un circuito
eléctrico de acceso, por lo que son mucho menos manejables que las
memorias magnéticas.
“Los materiales ferroeléctricos tienen una
polarización estable que puede ser reorientada con la aplicación de un
campo eléctrico”, explica Fernando Rubio-Marcos, investigador del CSIC
en el Instituto de Cerámica y Vidro. Los dispositivos tradicionales eran poco manejables porque necesitaban un circuito electrónico de acceso. “En estos dispositivos de memoria, el almacenamiento de los bits de
datos se consigue mediante el movimiento de las paredes de dominio que
separan regiones con diferentes direcciones de polarización, que puede
ser cambiada con un impulso eléctrico externo”, añade el experto.
Según describen los investigadores en el artículo publicado en Nature Communications,
el método de luz polarizada consigue convertir directamente la energía
de la luz en movimiento de la pared de dominio ferroeléctrico.
“Este
nuevo efecto potencialmente podría conducir al control remoto de las
paredes de dominio ferroeléctricos por la luz, lo que abre un marco para
nuevos dispositivos en la micro y nanoescala mediante la ingeniería de
dominios sin contacto”, destaca Rubio-Marcos.
Empleo de material cerámico
Para
lograr este método, los investigadores han mostrado la capacidad para
mover las paredes de dominio ferroeléctricos de un material cerámico
(titanato de bario) variando el ángulo de polarización de una fuente de
luz coherente. Este acoplamiento entre la luz polarizada y la
polarización ferroeléctrica permite modificar la tensión inducida en las
paredes dominio de este material cerámico, que ha podido ser observado in situ mediante la utilización de la microscopía Raman confocal.
Como
resultado, mediante esta metodología la energía de la luz es
directamente reconvertida en movimiento de la pared de dominio
ferroeléctrico, lo que provoca la conmutación de la polarización, sin la
necesidad de conexiones eléctricas o de contacto físico.
Referencia:
F. Rubio-Marcos et al. "Ferroelectric domain wall motion induced by polarized light”. Nature Communications. Doi: 10.1038/ncomms7594
Fuente: Agencia Sinc, España.
